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February 2006
FDB8444
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40V, 70A, 5.5m ?
Features
Typ r DS(on) = 3.9m ? at V GS = 10V, I D = 70A
Typ Q g(TOT) = 91nC at V GS = 10V
Low Miller Charge
Low Q rr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
Automotive Engine Control
Powertrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Transmission
Distributed Power Architecture and VRMs
Primary Switch for 12V Systems
A
DF
REE I
D
GATE
G
SOURCE
DRAIN
TO-263AB
FDB SERIES
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8444 R ev A2 (W)
(FLANGE)
1
S
www.fairchildsemi.com
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